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SiC碳化硅MOSFET|OBC SiC MOSFET|DC-DC SiC MOSFET|组串逆变...

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基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试，其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。

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SiC碳化硅二极管 SiC MOSFET

发布时间：2021-10-17 浏览次数：110 返回列表

碳化硅MOSFET

产品详情

碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。

新一代采用辅助源极连接方式的碳化硅 MOSFET（TO-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现。

碳化硅MOSFET

Product	V_DS （V）	I_D (A)	R_DS(on) (mΩ)	Q_g (nC)	E_on (µJ)	E_off (µJ)	Package Name
B1M160120HC	1200	20	160	60	63	72	TO-247-3	样品申请
B1M080120HC	1200	44	80	149	254	180	TO-247-3	样品申请
B1M080120HK	1200	44	80	149	163	77	TO-247-4	样品申请
B1M032120HC	1200	84	32	314	1215	463	TO-247-3	样品申请
B1M018120HC	1200	114	18	636	1350	7320	TO-247-3	样品申请